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關于科芯
關于科芯

公司成立于 1992年，是一家集研發、制造、銷售為一體的半導體企業，企業現占地面積200畝，擁有高標準生產車間30000㎡，其中萬級凈化區域8000㎡，千級凈化區域2000㎡。

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產品系列
產品系列

公司主要產品包括原硅片產品、OJ擴散產品、GPP玻璃鈍化產品三大系列，單晶硅片包括 3〞、4〞、 5〞、 6〞、產品，OJ 及 GPP 類包括 STD、FR、HER、SF、TVS 等產品。

單晶硅片

擴散芯片

刀刮GPP芯片

光阻GPP芯片

電泳GPP芯片

TVS芯片

EPI芯片（外延芯片）
核心能力
核心能力

公司不斷開拓創新、研發新產品，2000年與山東大學孟堯微電子研究所成立了研發協作體，2004年成立濟南市技術中心，2012年成立濟南市工程研究中心,并聘請山東大學教授、臺灣行業專家、技術顧問參與產品技術的提升。

品質能力

技術支持

研發中心
人力資源
人力資源

公司確立“以人為本、開拓創新、市場導向、顧客滿意”的經營管理理念，發揚不斷學習、奮發向上、勇于超越的精神，致力于成為世界一流的半導體產品制造基地和開發基地。

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單晶硅片
規格：3寸至4寸單晶硅N型輕摻硅片，3寸至4寸單晶硅N/P型重摻硅片

通過摻磷或摻硼，采用MCZ工藝，生產尺寸為3寸、4寸，電阻0.003-55Ω.cm，厚度200-350um等不同N型單晶硅片或P型單晶硅片，并可根據客戶要求生產定位邊單晶硅片，倒角單晶硅片，N型單晶硅片，P型單晶硅片等，電阻率和厚度根據客戶要求生產。

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單晶硅片參數配置表
3寸單晶硅N型輕摻硅片參數配置表
4寸單晶硅N型輕摻硅片參數配置表
3寸單晶硅重摻硅片參數配置表
4寸單晶硅重摻硅片參數配置表

3寸單晶硅N型輕摻硅片

3-inch mono crystal silicon N-type light doped wafer

電阻率Ω·CM	厚度μm		晶向	壽命μs	外徑mm	摻雜劑	形態				電阻率徑向不均勻性
電阻率Ω·CM	厚度μm		晶向	壽命μs	外徑mm	摻雜劑	線切片	研磨片	倒角片	定位片	電阻率徑向不均勻性
5-10	200-350		<111>	＞100	76.2±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
10-15	200-350		<111>	＞100	76.2±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
15-20	200-350		<111>	＞100	76.2±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
20-25	200-350		<111>	＞100	76.2±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
25-30	200-350		<111>	＞100	76.2±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
30-35	200-350		<111>	＞100	76.2±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
35-40	200-350		<111>	＞100	76.2±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
40-45	200-350		<111>	＞100	76.2±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
45-50	200-350		<111>	＞100	76.2±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
50-55	200-350		<111>	＞100	76.2±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%

4寸單晶硅N型輕摻硅片

4-inch mono crystal silicon N-type light doped wafer

電阻率Ω·CM	厚度μm		晶向	壽命μs	外徑mm	摻雜劑	形態				電阻率徑向不均勻性
電阻率Ω·CM	厚度μm		晶向	壽命μs	外徑mm	摻雜劑	線切片	研磨片	倒角片	定位片	電阻率徑向不均勻性
5-10	200-350		<111>	＞100	101.6±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
10-15	200-350		<111>	＞100	101.6±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
15-20	200-350		<111>	＞100	101.6±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
20-25	200-350		<111>	＞100	101.6±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
25-30	200-350		<111>	＞100	101.6±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
30-35	200-350		<111>	＞100	101.6±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
35-40	200-350		<111>	＞100	101.6±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
40-45	200-350		<111>	＞100	101.6±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
45-50	200-350		<111>	＞100	101.6±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%
50-55	200-350		<111>	＞100	101.6±0.3	磷	√	√	√	√	≤20%

3寸單晶硅重摻硅片

3-inch mono crystal silicon heavy doped wafer

電阻率Ω·CM		厚度μm	晶向	型號	外徑mm	摻雜劑	形態				電阻率徑向不均勻性
電阻率Ω·CM		厚度μm	晶向	型號	外徑mm	摻雜劑	線切片	研磨片	倒角片	定位片	電阻率徑向不均勻性
0.003-0.005		200-350	<111>	N/P	76.2±0.3	磷/硼	/	√	√	√	/
0.005-0.008		200-350	<111>	N/P	76.2±0.3	磷/硼	/	√	√	√	/
0.02-0.03		200-350	<111>	N/P	76.2±0.3	磷/硼	/	√	√	√	/

4寸單晶硅重摻硅片

4 inch monocrystal silicon heavy doped wafer

電阻率Ω·CM		厚度μm	晶向	型號	外徑mm	摻雜劑	形態				電阻率徑向不均勻性
電阻率Ω·CM		厚度μm	晶向	型號	外徑mm	摻雜劑	線切片	研磨片	倒角片	定位片	電阻率徑向不均勻性
0.003-0.005		200-350	<111>	N/P	101.6±0.3	磷/硼	/	√	√	√	/
0.005-0.008		200-350	<111>	N/P	101.6±0.3	磷/硼	/	√	√	√	/
0.02-0.03		200-350	<111>	N/P	101.6±0.3	磷/硼	/	√	√	√	/

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